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在电子储存环中，由于被束流势阱浮获的离子会引起束流不稳定性。研究这种不稳定性的产生机制和抑制方法对提高机器的性能有重要理论和现实意义。介绍了用强－强模型对合肥光源电子储存环中离子俘获不稳定性产生机制进行的模拟研究。模拟结果可用于理解在合肥光源电子储存环上观察到的离子俘获现象。
电子储存环中离子俘获不稳定性的强—强模型模拟
【摘 要】
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在电子储存环中，由于被束流势阱浮获的离子会引起束流不稳定性。研究这种不稳定性的产生机制和抑制方法对提高机器的性能有重要理论和现实意义。介绍了用强－强模型对合肥光源电
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2000年5期
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