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用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN。在生长了一个 2 0nm厚的缓冲层后 ,外延生长了 1 μm厚的立方GaN外延层。利用二次离子质谱测定了掺杂的程度。并用X射线衍射和光致发光测量来表征了未掺杂和Si掺杂GaN的结构和光学质量
用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN(英文)
【摘 要】
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用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN。在生长了一个 2 0nm厚的缓冲层后 ,外延生长了 1 μm厚的立方GaN外延层。利用二次离子质谱测定了掺杂的程度。
【机 构】
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GraduateSchoolofFrontierScience,YokohamaR&,DLaboratory,ResearchCenterforAdvancedScienceandTechnol
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2001年S1期
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