【摘 要】
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基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的28 GHz宽带功率放大器MMIC（单片微波集成电路）。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电
【机 构】
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专用集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所
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基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的28 GHz宽带功率放大器MMIC（单片微波集成电路）。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器的带宽,减小了电路的损耗。测试结果表明,在28 GHz测试频带内,在脉冲偏压28 V（脉宽1 ms,占空比30%）时,峰值输出功率大于30 W,功率附加效率大于25%,小信号增益大于24 d B,输入电压驻波比在2.8以下,在6 GHz处的峰值输出功率达到50 W,功
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