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用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）制备了氢化非晶硅薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ）并进行了退火实验，利用红外吸收光谱（ＩＲ）和金相显微镜研究了薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象，得出材料组成及热稳定性对衬定温度Ｔｎ和射频功率Ｐｒｆ的依赖关系。
氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究
【摘 要】
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用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）制备了氢化非晶硅薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ）并进行了退火实验，利用红外吸收光谱（ＩＲ）和金相显微镜研究了薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象，得出材料组成及热稳定性对衬定温
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,吉林长春130021,吉林长春13
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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1999年3期
【基金项目】
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中国科学院院长基金
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