【摘 要】
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为了满足高性能微电子器件对二硫化钼(MoS2)薄膜低层数大尺寸的需求,文中利用化学气相沉积法(CVD)制备单层MoS2,研究钼源与衬底之间的距离和衬底的放置角度对MoS2形貌、尺寸
【机 构】
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西安工业大学材料与化工学院,西安工业大学电子信息工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(51671151)
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为了满足高性能微电子器件对二硫化钼(MoS2)薄膜低层数大尺寸的需求,文中利用化学气相沉积法(CVD)制备单层MoS2,研究钼源与衬底之间的距离和衬底的放置角度对MoS2形貌、尺寸和结构的影响,制备出大尺寸、高质量的单层MoS2。采用扫描电镜、拉曼光谱和光致发光谱对其形貌和厚度进行表征。研究结果表明:衬底和钼源的距离影响MoS2薄膜的生长,随着距离增大,MoS2薄膜尺寸呈由小及大再变小的趋势,分布由密集到均匀再至稀疏。钼源距衬底9 cm处生长的MoS2薄膜尺寸可达约70μm,且分布均匀,形貌规则;衬底的放
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