论文部分内容阅读
<正> 4 制造SOI材料的方法现在,有六种方法可供选用:(1)介质隔离技术;(2)硅/蓝宝石(SOS)隔离技术;(3)氧离子注入隔离(SIMOX)技术;(4)区熔再结晶(ZMR)技术;(5)硅片直接键合与背面腐蚀(SDB & BE)技术;(6)氧化多孔性硅全隔离(FIPOS)技术。在这些制备方法中,氧离子注入二氧化硅埋层隔离最适用于制备超薄(<150nm)硅材料。用这种材料制作的器件抗闭锁、短沟道效应及热电子效应小、电导大、亚阈值斜率特性好。TI公司和哈里斯公司已采用这种技术制