【摘 要】
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用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的GaN中自由、束缚激子(BX)的跃迁,讨论了这些跃迁的光致发光光谱、复合寿命及其与温度的关系,给出了中性施主束缚激子和自由激子(FX)的辐射复合寿命分别为0.12 ns和0.4 ns。
【机 构】
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西安交通大学应用物理系,西安710049堪萨斯州立大学物理系,美国66502明尼苏达APA光学公司,美国55449
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用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的GaN中自由、束缚激子(BX)的跃迁,讨论了这些跃迁的光致发光光谱、复合寿命及其与温度的关系,给出了中性施主束缚激子和自由激子(FX)的辐射复合寿命分别为0.12 ns和0.4 ns。
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本文提出一种光闸条纹的轮廓推算法,同日本人提出的方法相比,此法简单而且概念明确。文中采用两种方法来验证推算法的正确性,即将常用的计算法计算的及实测的轮廓数值和推算的轮廓数进行比较,结果颇为满意。
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工作在中长波的红外探测器可被广泛应用在空间成像、军事和通信等领域, 锑基InAsSb材料由于其特殊的性质是制作长波非致冷光子探测器的理想材料。俄歇复合寿命是影响探测器性能的重要因素之一, 文章采用Matlab软件模拟研究了n型和p型InAsxSb1-x材料的俄歇复合寿命随温度、As组分及载流子浓度的变化。对确定的As组分, 可通过优化工作温度及载流子浓度获得较长的俄歇复合寿命。当载流子浓度为3.2×1015cm-3、温度为200K时, n型InAs0.35Sb0.65的俄歇复合寿命最大为2.91×10-9
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