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利用相移光栅模板使KrF准分子激光形成强度周期分布的激光束,定域晶化a-Si:H(4 nm)/a-SiNx:H(10 nm)多层膜中的超薄a-Si:H层,成功地制备出了三维有序分布的nc-Si阵列.原子力显微镜(AFM)、微区喇曼光谱、剖面透射电子显微镜(X-TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)技术分析揭示了晶化后薄膜中形成了横向周期与移相光栅周期相同、纵向周期与a-Si:H/a-SiNx:H多层膜周期(14 nm)相等的nc-Si阵列.