【摘 要】
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用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,再用高能Pb和Xe离子对薄膜进行辐照,最后用荧光光谱分析了辐照参数（剂量、电子能损值）与发光特性改变的相关性。研究发现,快重离
【机 构】
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菏泽学院物理系,中国科学院近代物理研究所
【基金项目】
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菏泽学院科研基金（XY09WL02））,菏泽学院博士基金（XY10BS02）资助项目
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用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,再用高能Pb和Xe离子对薄膜进行辐照,最后用荧光光谱分析了辐照参数（剂量、电子能损值）与发光特性改变的相关性。研究发现,快重离子辐照能显著影响薄膜的发光特性,进一步分析显示,辐照导致了SiO2薄膜内O—Si—O缺陷、缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的产生,且缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的数量会随Pb离子辐照剂量的增加而增多,而O—Si—O缺陷和缺氧缺陷的形成需要较高的电子能损值。
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