【摘 要】
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对非均匀磁性薄膜，采用变分累积展开（ＶＣＥ）方法，分别对海森堡（Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ）模型及伊辛（Ｉｓｉｎｇ）模型，计算了四阶临界温度（Ｌ），位移指数λ，及相干临界指数ν，得到νＩ＝０．７１２（伊辛模型），νＨ＝０．７１０（海森堡模型）．此结果与实验值ν＝０．７０４符合得相当好
【机 构】
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南开大学物理系，天津广播电视大学工科部
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对非均匀磁性薄膜，采用变分累积展开（ＶＣＥ）方法，分别对海森堡（Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ）模型及伊辛（Ｉｓｉｎｇ）模型，计算了四阶临界温度（Ｌ），位移指数λ，及相干临界指数ν，得到νＩ＝０．７１２（伊辛模型），νＨ＝０．７１０（海森堡模型）．此结果与实验值ν＝０．７０４符合得相当好。
For the non-uniform magnetic thin films, the fourth order critical temperature (L), displacement index λ, and the coherence criticality are calculated for the Heisenberg model and the Ising model by variational cumulative expansion (VCE) The index ν gives νI = 0.712 (Ising model), νH = 0.710 (Heisenberg model). This result is in good agreement with the experimental value of ν = 0.704.
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