【摘 要】
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在场效应晶体管太赫兹探测器中,合理的天线设计可以增强晶体管和太赫兹波之间的耦合效率,从而提高太赫兹探测器的响应度.提出一种基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真来设计平
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心; 中国科学院大学; 波兰科学院高压物理研究所; 先进材料与技术中心中央实验室; 蒙彼利埃大学与法国国家科学研究
【基金项目】
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Supported by National Natural Science Foundation of China(61501421);the National Key R&D program of China(2016YFA02005003);the One Hundred Talents Program of Chinese Academy of Sciences(Y673010000);
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在场效应晶体管太赫兹探测器中,合理的天线设计可以增强晶体管和太赫兹波之间的耦合效率,从而提高太赫兹探测器的响应度.提出一种基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真来设计平面天线的方法.这种方法尤其适用于太赫兹波段晶体管输入阻抗不容易得到的情况.通过流片完成的基于氮化镓高电子迁移率晶体管的太赫兹探测器的响应度测试证实了这种方法的有效性.集成碟形天线和双偶极子天线的太赫兹探测器最大响应度分别在170.7 GHz(1568.4 V/W)和124.3 GHz(1047.2 V/W)频点处测得,这个测试结果接近基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真结果.
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