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介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型,计算了不同漏源击穿电压下,各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例,分析了阻值随电压变化的原因.
六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型
【摘 要】
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介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型,计算了不同漏源击穿电压下,各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例,分析了阻值随电压变化的原因.
【机 构】
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辽宁大学
【出 处】
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辽宁大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2003年1期
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