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在950℃、5MPa、1h的工艺条件下，分别添加Mo、Ta、Nb箔做中间层，对Ti2AlNb与GH4169真空扩散连接工艺进行了研究。利用扫描电镜（SEM）和能谱分析（EDS）等方法对焊接接头成形机理进行了分析。结果表明，以Mo做中间层时接头开裂；以Ta、Nb做中间层时形成完整接头，其中，Ta或Nb中间层与Ti2AlNb连接良好，而与GH4169界面出现裂纹。