n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

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【摘要】

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研究了利用离子注入法得到的掺氮n-SiC拉曼光谱.理论线形分析表明,与4H-SiC相比,6H-SiC中LO声子等离子体激元耦合模(LOPC模)拉曼位移随自由载流子浓度变化较小.514.5nm激发光

【作者】

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韩茹杨银堂柴常春

【机构】

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西安电子科技大学微电子学院

【出处】

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物理学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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碳化硅电子拉曼散射轨道能谷分裂倍频谱

【基金项目】

：

国家部委预研项目;

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研究了利用离子注入法得到的掺氮n-SiC拉曼光谱.理论线形分析表明,与4H-SiC相比,6H-SiC中LO声子等离子体激元耦合模(LOPC模)拉曼位移随自由载流子浓度变化较小.514.5nm激发光下得到的电子拉曼散射光谱表明,k位处由1s(A1)到1s(E)的能谷轨道跃迁带来的拉曼谱6H-SiC中有四条,4H-SiC中有二条;高频630.3及635cm-1处观察到的谱线被认为与深能级缺陷有关.最后,利用纤锌矿型结构二级拉曼散射选择定则指认了6H-及4H-SiC二级拉曼谱.

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