氢等离子体处理对GaAs/AlGaAs超晶格材料性能的影响

来源 :山东大学学报(理学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:angelleosy
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在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中,由于深能级杂质形成的非辐射复合中心的存在,使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度.样品经过氢等离子体处理后,其光电性质明显改善.
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