,Resistive Switching Behavior in Amorphous Aluminum Oxide Film Grown by Chemical Vapor Deposition

来源 :中国物理快报（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：l907603912

【作者】

：

【机构】

：

School of Electronic Science and Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024

【出处】

：

中国物理快报（英文版）

【发表日期】

：

2014年7期

【关键词】

：

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