N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展

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获得高质量稳定的P型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认V族元素中的N替代0位(No)是实现P型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO:N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表明N基二元共掺(N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善P型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的P型ZnO薄膜。为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺P型ZnO薄膜的研究现状。
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