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利用现场水汽生成（in—situ steam generation，ISSG）退火这种新型的低压快速氧化热退火技术，在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长，最终实现了沉积二氧化硅薄膜的平坦化．实验数据表明，ISSG退火补偿生长后整个晶圆表面的薄膜厚度波动（最大值与最小值之差）从0．76nm降到了0．16nm，49点厚度值的标准偏差从0．25nm降到了0．04nm．同时，薄膜的隧穿场强增加到4．3MV／cm，硅氧界面与传统的氧气快速退火工艺相比更为良好．实验结果为二氧化硅薄膜平坦化提供了新的思路，