硫化物靶与单质靶制备Cu2ZnSnS4薄膜的比较研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guoke3zhang

【摘要】

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为了验证磁控溅射硫化物靶替代单质靶制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜及太阳电池的可行性与优越性,采用多周期磁控溅射ZnS-Sn-CuS和Zn-Sn-Cu制备CZTS薄膜,并分析了使用不同溅射靶材

【作者】

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徐信王书荣马逊杨帅李耀斌杨洪斌

【机构】

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云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室,云南师范大学云南省光电技术重点实验室

【出处】

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无机材料学报

【发表日期】

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2019年5期

【关键词】

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铜锌锡硫薄膜太阳电池二元硫化物靶金属单质靶 Cu2ZnSnS4 thin films solar cells binary sulfide target

【基金项目】

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西南地区可再生能源研究与开发协同创新中心项目(05300205020516009),国家自然科学基金(61167003).

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为了验证磁控溅射硫化物靶替代单质靶制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜及太阳电池的可行性与优越性,采用多周期磁控溅射ZnS-Sn-CuS和Zn-Sn-Cu制备CZTS薄膜,并分析了使用不同溅射靶材对薄膜晶体结构、相纯度、表面粗糙度、化学组分、表面、截面形貌及光电特性的影响。按SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al结构制成完整的电池器件并测量了J-V曲线。结果显示采用ZnS-Sn-CuS靶制备的CZTS薄膜太阳电池开路电压为611mV,短路电流密度为21.28mA/cm^2,

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