【摘 要】
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用于NMOS和CMOS微电路的N沟MOS晶体管在其漏-源击穿特性上有一个负阻区。启动这种工作方式,源-漏电压就会下降,同时产生较大的漏极电流。急变返回不是四层结构(可控硅整流器,
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用于NMOS和CMOS微电路的N沟MOS晶体管在其漏-源击穿特性上有一个负阻区。启动这种工作方式,源-漏电压就会下降,同时产生较大的漏极电流。急变返回不是四层结构(可控硅整流器,闭锁)的现象,但是象闭锁一样,它的启动可以是电流注入到p阱,结的雪崩击穿,或暴露于电离辐射区。其维持电压可大大低于漏极-衬底结的雪崩电压,由此限制了最大工作电压。本文介绍了急变返回的一个定性模型——发生在导致再生反馈的寄生双极性晶体管本征基区的局部导电率调制。还介绍了工艺变化对急变返回的影响以及对电离辐照的触发灵敏度。
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