论文部分内容阅读
利用扫描电镜电子通道衬底技术，对单滑移取向下，疲劳过程中Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑多带（PSBs)位错结构的演化进行了观察。结果表明，PSBs的形成可以分为4个阶段，即脉络、通路、萌芽、真正形成完整的PSB位错结构。对以上4个阶段中典型位错结构的演化进行了模拟，并利用三维离散位错静力学方法给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布，相应地，利用有限元方法计算了外应力场的分布。结果表明：在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中，内应力的分布是不均匀的。在通路和萌芽的尖端平均内应力没