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通过选择激发光荧光技术研究了生长在SiO2中的掺铒纳米硅（nc—Si：Er）的光学性质。当激发光光子能量高于1．519eV时，nc—Si：Er的室温光荧光谱上能够看到两个清晰的发光峰，一个来自nc—Si，峰值位置在1．39eV，标记为Enc-Si；另一个发光来自nc—Si附近的Er离子，峰值位置在0．81eV，标记为EEr,当激发光的光子能量为1．42eV时，尽管该能量高于Enc-Si和EEr的峰值能量，在nc—Si：Er的室温光荧光谱上既看不到Enc-Si的发光蜂，也看不到EEr的发光峰。研究发现，当激