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研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD能力最强,而环栅结构的器件抗ESD能力最弱,其原因可能与器件有缘区面积和电流分布有关。
多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究
【摘 要】
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研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD能力最强,而环栅结构的器件抗ESD能力最弱,其
【机 构】
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电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2013年05期
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