【摘 要】
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由C60和类金刚石碳膜（DLC）组成的多层复合膜可在Si、玻璃和其它衬底上通过真空升华沉积和随后以CH4和H2作为反应剂用射频化学气相沉积（RFCVD）的方法制备。这种膜的若干特征可由拉
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,新加坡南洋理工大学
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由C60和类金刚石碳膜（DLC）组成的多层复合膜可在Si、玻璃和其它衬底上通过真空升华沉积和随后以CH4和H2作为反应剂用射频化学气相沉积（RFCVD）的方法制备。这种膜的若干特征可由拉曼谱（Raman）表征。复合膜电阻与介电常数由低频（LF）阻抗分析仪进行研究从而得到膜电阻、介电常数和频率间的关系。这些结果表明：在各种频率下的此类复合膜的电阻与纯C60膜基本一致，但是纯C60膜随频率变化的电容率与复合膜明显不同。这些现象与结果可通过电介质的德拜模型和介质松弛理论进行分析与讨论。根据相应的Debye模型方
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