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使用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模拟方法和器件振荡特性测试研究了异质谷间转移电子器件的直流隧穿特性和射频振荡性能与器件结构参数之间的关系。理论计算结果与实验数据间吻合得很好。在此基础上提出了通过电性能测试来分析器件结构参数的方法。使用逐层化学腐蚀Ｃ－Ｖ测试测定了有源层的掺杂分布。通过低场电阻测量确定了量子阱的宽度。最后从器件振荡特性与Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模拟曲线的对照中得出了掺杂接口的浓度。由此建立了