【摘 要】
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以Li3N为触媒、六方氮化硼（hBN）为原料,采用静态高温高压法合成立方氮化硼（cBN）单晶。为探讨cBN合成机理,利用扫描电镜观察了cBN单晶生长界面层形貌,利用俄歇电子能谱和X射线光电
【机 构】
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山东建筑大学材料科学与工程学院,山东大学材料科学与工程学院
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以Li3N为触媒、六方氮化硼（hBN）为原料,采用静态高温高压法合成立方氮化硼（cBN）单晶。为探讨cBN合成机理,利用扫描电镜观察了cBN单晶生长界面层形貌,利用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对界面层精细结构进行了表征。结果表明,cBN单晶被合成后的触媒粉末所包裹,界面层中B、N元素相对比例基本保持不变,且随着距离cBN单晶越来越近,B、N元素的sp2杂化态逐渐减少,sp3杂化态逐渐增多,这说明hBN含量逐渐减少,而cBN含量逐渐增多。由于Li元素非常活泼,在高温高压体系中的电子结构极不稳定,故可以作为
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