AlGaN／GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究

来源 :西安电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nihaohaoya

【摘要】

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通过实验测量对AlGaN／GaNHEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究．AlGaN／GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得．文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化，钝化后

【作者】

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岳远征郝跃张进城冯倩

【机构】

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西安电子科技大学微电子学院

【出处】

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西安电子科技大学学报

【发表日期】

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2008年1期

【关键词】

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高电子迁移率晶体管钝化电流崩塌 high electron mobility transistors passivation current collaps

【基金项目】

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国家重大基础研究（973）资助（51327020301）

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通过实验测量对AlGaN／GaNHEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究．AlGaN／GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得．文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化，钝化后直流电流崩塌明显减少，仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获．传输线模型测量表明，钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度．

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