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经常有人将磁阻RAM(MRAM,magnetoresistive random access memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non-Volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性.它的寿命几乎是没有限制的.MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用.