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运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流，该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件。还能用于多层高k栅介质纳米MOS器件。使用该方法研究了基于氧化铪高k介质氮含量等元素对栅极电流的影响。结果显示，为最大限度减少MOS器件的栅电流，需要优化介质中氮含量、铝含量。
基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流模型
【摘 要】
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运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流，该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件。还能用于多层高k栅介质纳米MOS器件。使用该方法研究了基于氧化铪高k
【机 构】
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东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室,南京邮电大学光电工程学院,美国密西根大学电气工程和计算机科学系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2006年4期
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