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以不同温度真空原位退火工艺为手段，促使制备在单晶Si（100）和Al2O3基底上的Cu-W薄膜发生相变。用X射线衍射（XRD）分析晶体取向，偏振相位移技术分析薄膜残余应力。结果表明，随退火温度变化，薄膜相变呈现连续变化，由初始的非晶态晶化，出现类W的亚稳态固溶体相，以及随退火温度的进一步增加，发生Spinodal分解，亚稳固溶体完全分解为W和Cu两相。薄膜发生相变时产生拉应力作用，而在晶粒生长阶段，拉应力释放。