【摘 要】
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短路脉冲电流的上升速率大于晶闸管的开通扩散速率,导致晶闸管硅芯片导通局部电流密度变大造成过热击穿。建立了晶闸管开通过程的电热模型,针对仿真参数开通速度和仿真加载项
【基金项目】
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国家自然科学基金项目资助(51607184)
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短路脉冲电流的上升速率大于晶闸管的开通扩散速率,导致晶闸管硅芯片导通局部电流密度变大造成过热击穿。建立了晶闸管开通过程的电热模型,针对仿真参数开通速度和仿真加载项功耗进行研究。试验测量晶闸管开通过程中斜率电阻变化趋势,得到晶闸管的开通速度;将开通过程中的晶闸管等效为时变电阻,得到晶闸管的功耗时间特性。通过仿真,得到窄脉冲大电流工况下晶闸管开通过程温度分布特性。设计单脉冲电流发生电路摸底测试了晶闸管的极限耐受电流,并验证了仿真结果的准确性。仿真结果中晶闸管的最大温升能够准确反映器件状态,为晶闸管在窄脉冲大电
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