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P3HT：PCBM薄膜的快速和缓慢成膜过程能显著的改变异质结聚合物太刚能电池性能。通过调节旋转时间以及薄膜退火前的间隔时间，研究了P3HT：PCBM混合薄膜缓慢生长所需最佳时间。结果表明，在转速800r·min^-1下旋涂薄膜，经过50-80s的旋涂，接着放置样品薄膜30min以上，然后再对薄膜进行退火处理，电池效率可以达到3％以上，而快速成膜的电池效率只有1．8％左右。合理的P3HT和PCBM相分离促进了相应载流子的跳跃和传输，是提高电池效率的根本原闪。研究结果为准确掌控缓慢生长的混合薄膜提供