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利用硅烷偶联剂十二烷基三甲氧基硅烷（WD-10）对纳米SiO2进行了有机表面接枝改性。采用红外光谱、电泳、热重分析、扫描电镜等分析手段对表面改性前后的纳米SiO2进行表征，考察了反应温度、反应时间和偶联剂浓度对接枝率的影响。结果表明：WD-10以化学键合的方式结合在纳米SiO2的表面，形成有机包覆层，明显改善其分散性能；在WD-10质量浓度为0．9mL／g、反应温度60℃、反应时间1h时，接枝率最高。在消泡剂体系中添加4％经改性后的纳米SiO2进行乳化可明显改善消泡剂的破泡性能和稳定性。