【摘 要】
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锑化铟（indium antimonide,熔点～525℃）是一种窄禁带半导体。由于其高的电子迁移率、小的有效质量及在极性III-V族材料中有最大的g因子,因而在高速器件、磁阻器件等方面具有潜在
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锑化铟（indium antimonide,熔点～525℃）是一种窄禁带半导体。由于其高的电子迁移率、小的有效质量及在极性III-V族材料中有最大的g因子,因而在高速器件、磁阻器件等方面具有潜在的电子学应用价值,而且已被广泛用于磁敏器件、红外探测器等。由于具有较大的波尔半径（60 nm）,使得InSb纳米结构成为具有吸引力的进行量子效应研究的半导体。因为这些特性,已有一些关于InSb纳米结构生长的报道。本文描述了近期InSb纳米结构生长的情况。透射电子显微镜等形貌像显示纳米结构为纳米晶体或纳米线,器件制备
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