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采用脉冲激光沉积法（PLD）,在Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备LiNbO3 型ZnSnO3 薄膜.通过改变生长过程中的氧气压、生长温度等实验条件,研究制备薄膜的最佳工艺参数.利用X 射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对薄膜进行分析.研究表明,在Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备ZnSnO3 薄膜优化条件是氧气压30 Pa、沉积温度600 ℃,并使用ZnO 作为缓冲层.优化条件下制备的ZnSnO3 薄膜有良好的（006）取向,与ZnSnO3单晶衍射峰位置一致.