【摘 要】
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在1350℃保温2h熔融后浇注,经500℃退火制备了55%质量分数,下同)SiO2-6%B2O3-8.5%(K2O-Li2O)-11.5%Al2O3-4.5%ZNO-9.5%MgO-5%F的基础玻璃,650～750℃保温2h晶化处理后制成微晶
【机 构】
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西安交通大学,电力设备电气绝缘国家重点实验室
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在1350℃保温2h熔融后浇注,经500℃退火制备了55%质量分数,下同)SiO2-6%B2O3-8.5%(K2O-Li2O)-11.5%Al2O3-4.5%ZNO-9.5%MgO-5%F的基础玻璃,650～750℃保温2h晶化处理后制成微晶玻璃.采用X射线衍射分析微晶玻璃的物相组成,用扫描电镜观察材料的微观结构,考察晶化工艺对材料高电压真空沿面闪络特性的影响,并与A1203陶瓷沿面闪络性能进行对比.结果表明:该材料比Al2O3陶瓷具有更好的沿面闪络特性;在晶化保温时间相同时,随温度升高,微晶玻璃材料的沿面闪络电压降低;在650℃保温2h的晶化处理后,该微晶玻璃具有较优的沿面闪络特性.
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