【摘 要】
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利用低压化学气相沉积（LPCVD）方法，以充Ar的SiH4作为反应气体源，在覆盖有热生长SiO2层的P-（100）Si衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶Si膜（nc-poly-Si）。采用扫描电子显微镜（SEM）
【机 构】
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河北大学电子信息工程学院,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
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利用低压化学气相沉积（LPCVD）方法，以充Ar的SiH4作为反应气体源，在覆盖有热生长SiO2层的P-（100）Si衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶Si膜（nc-poly-Si）。采用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和拉曼谱等检测手段，测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸与密度分布等结构特征。结果表明，nc-poly-Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布强烈依赖于衬底温度、SiH4浓度与反应气压等工艺参数。典型实验条件下生长的Si纳米晶粒形状为半球状，晶粒尺寸约为40nm，密度
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