【摘 要】
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通过 PECVD方法 ,在 Si基体表面制备了 Si3N4 薄膜 ,给出了 XRD、TEM、AES、DPS的分析结果 ,表明 Si3N4 是非晶态结构 ,薄膜的主要成分是 Si3N4 ,SEM分析结果显示 Si3N4 薄膜
【机 构】
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通过 PECVD方法 ,在 Si基体表面制备了 Si3N4 薄膜 ,给出了 XRD、TEM、AES、DPS的分析结果 ,表明 Si3N4 是非晶态结构 ,薄膜的主要成分是 Si3N4 ,SEM分析结果显示 Si3N4 薄膜与基体材料的结合强度高 ,薄膜致密性好
The results of XRD, TEM, AES and DPS show that Si3N4 is amorphous and the main component of Si3N4 is Si3N4. The SEM results show that Si3N4 thin films and matrix materials The combination of high strength, good film density
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