【摘 要】
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引晶技术在ＨｇＣｄＴｅ体单晶生长中的应用郎维和（华北光电技术研究所北京１０００１５）ＨｇＣｄＴｅ是一种三元化合物，根据其化学配比可以在一定范围内制备各种禁带宽度的半导体光电材料。为了满足多元红外探测器的
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引晶技术在ＨｇＣｄＴｅ体单晶生长中的应用郎维和（华北光电技术研究所北京１０００１５）ＨｇＣｄＴｅ是一种三元化合物，根据其化学配比可以在一定范围内制备各种禁带宽度的半导体光电材料。为了满足多元红外探测器的要求，我们进行引入籽晶技术生长ＨｇＣｄＴｅ晶体，...
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