制备工艺对掺杂NaYF4∶Er^3+,Yb^3+发光纳米晶的聚合物光波导放大器性能的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenjinggoigo123456
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
制备了NaYF4∶Er3+,Yb3+纳米晶,表征了纳米晶的形貌,通过物理掺杂的方式将纳米粒子掺杂到SU-8中作为光波导放大器的芯层材料,优化了波导放大器的尺寸,利用旋涂、刻蚀等工艺,在二氧化硅衬底上制备了光波导放大器。实验中用光漂白法和湿法刻蚀两种方法制备光波导放大器,分别给出了两种方法制备的器件的结构、工艺流程、光场模拟结果,并对两种方法制备的器件的放大特性进行了测试。测试结果表明,当980 nm波长的泵浦光功率为241 m W且1 550 nm波长的信号光功率为0.1 m W时,使用湿法刻蚀法制备的放
其他文献
在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱和两个350 nm厚的AlGaInP量子垒构成,利用MOC
由于具有较大的光学吸收系数与低廉的材料成本,硫化亚锡(SnS)在新型薄膜太阳能电池中展现出巨大的应用前景。为了实现SnS薄膜的可控制备,进而研究其光伏特性,首先,利用脉冲电
为了提高壳聚糖的水溶性及其止血方面的性能,将壳聚糖(CS)进行羧甲基化改性,并引入具有抗菌作用的Ag+和TiO2,制备出羧甲基壳聚糖复合止血材料。首先,在壳聚糖中引入羧甲基,制
由中国物理学会发光分会主办,郑州大学与中国科学院长春光学精密机械与物理研究所承办的第19届Ⅱ-Ⅵ族化合物及相关材料国际学术会议(The 19th International Conference on
为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件