【摘 要】
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介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy
【机 构】
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机电部广州电器科学研究所,华南理工大学应用物理系,
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介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy 膜(缩写为 RTNF)组成的 MIS 结构的光Ⅰ-Ⅴ实验数据、体电荷密度和平均分布中心的实验结果。并就该法优缺点、应用前景及改进途径作了讨论.
The method of light I-V for studying the charge characteristics of MIS structure with high energy UV laser as light source is introduced. The experimental principle, experimental device and test method of the method are briefly described. The experimental data of light Ⅰ-Ⅴ of MIS structure consisting of the traditional thermal oxidized SiO 2 dielectric film and the new rapid thermal nitriding SiOxNy film (abbreviated as RTNF) are given , Body charge density and average distribution center experimental results. And discussed the advantages and disadvantages of the law, application prospects and ways to improve.
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