论文部分内容阅读
采用直流磁控反应溅射，在Pt电极上沉积了A1N压电薄膜，并制备了以SiO2为声反射层的体声波谐振器。用X-射线衍射（XRD）、电镜扫描（SEM）、原子力显微镜（AFM）测试表明，制备出的A1N薄膜具有高C轴择优取向、良好的柱状晶结构以及平滑的表面；用网络分析仪测试体声波谐振器得到较好的频率特性，即串、并联谐振频率分别为1．22GHz、1．254GHz，机电耦合系数为6．68％，带宽20MHz。