【摘 要】
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将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo/CuIn1-xGaxSe2/CdS)在500℃进行氢处理和氮处理,然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-xGaxSe2薄膜结构、形貌和太阳
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,南开大学光电子研究所
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo/CuIn1-xGaxSe2/CdS)在500℃进行氢处理和氮处理,然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-xGaxSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响.研究表明在500℃的条件下,经过不同时间的氢处理,可以使样品的开启电压减小(特别是经过180min氢处理的样品),提高了p-n结的性能,从而提高光电转换效率,并可以使样品表面的大颗粒逐渐减少,促进CuIno.7Gao.3Se相的形成,这和Ⅰ-Ⅴ性能的测试结果相符合.而氮气的处理对于样品
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