【摘 要】
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采用一步反应法制备了BaFBr:Eu2+,Ce3+X射线影像存储材料.通过荧光光谱和光激励发光谱研究了材料的光致发光及其经X射线辐照后的光激励发光性质.结果发现,Ce离子的掺入使得Ba
【机 构】
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清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,厦门理工学院数理系光电信息技术教研室
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采用一步反应法制备了BaFBr:Eu2+,Ce3+X射线影像存储材料.通过荧光光谱和光激励发光谱研究了材料的光致发光及其经X射线辐照后的光激励发光性质.结果发现,Ce离子的掺入使得BaFBr:Eu2+的发光性能明显增强,存在Ce3+离子向Eu2+离子的能量传递,Ce离子的掺杂浓度为0.7%(摩尔分数)左右时可得到较高的光致发光及光激励发光强度.且掺入Ce3+后,可以有效的形成能稳定存储的较低能级的电子陷阱,使得在信息读出过程中所需激励光能量降低,从而使得读出光的能量与价廉、便携的长波激光器的读出波长匹配得更好.
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