【摘 要】
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研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的
【机 构】
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中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室,
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研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式.最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层.优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度.
In InGaAs / InP DHBT, the effect of graded collector and δ doping concentration on Kirk current is studied, and the concept of effective transition layer is proposed. In the non-continuous graded structure, the effective transition layer extends to InGaAs The formulas of the maximum doping concentration, the maximum Kirk current density and the corresponding δ doping concentration are given for different Kirk effect conditions.The maximum collector doping concentration and the maximum Kirk current density depend on δ -doped layer.Optimization of δ doping can greatly improve Kirk current density of the device.
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