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目的采用不同功率半导体激光根管内连续照射或问隔照射，观察3种照射模式对根管外壁温度升高的影响。方法实验一：60颗离体单根管牙分A组（功率1．5W）与B组（功率3W），每组又分为3亚组（A1、A2、A3），每组10颗，采用三种不同照射模式：A1：照射5S4次，A2：照射10s2次，单次照射间均间隔5s；A3：连续照射20s，同时测定根管外壁平均温度的变化。实验二：30颗离体单根管牙，采用功率1．5w，连续照射20s的模式，测定牙根外三点：G1（根尖点）、G2（根尖1／3）、G3（根中1／3）温度变化值。结果