甲烷流量对高掺硼金刚石多晶薄膜形态生长的影响

来源 :2008年全国材料研讨会——材料表面与界面分会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ldbeight

【摘要】

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在不同的甲烷流量下,用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)在N型(100)单晶硅片上制备了掺硼金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对薄膜检测的结果表明,随着甲烷流量

【作者】

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屈芳白亦真庄春强贾福超邢娇杨姜辛

【机构】

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大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料表面改性实验室,辽宁,大连,116024大连理工大学三束材料表面改性实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学材料科学

【出处】

：

2008年全国材料研讨会——材料表面与界面分会

【发表日期】

：

2008年11期

【关键词】

：

掺硼金刚石多晶薄膜形态生长扫描电子显微镜拉曼光谱

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在不同的甲烷流量下,用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)在N型(100)单晶硅片上制备了掺硼金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对薄膜检测的结果表明,随着甲烷流量的增加,掺硼金刚石薄膜的二次形核增加,晶粒尺寸减小,晶界变得模糊,结晶性下降,非金刚石相增多,过高的甲烷流量导致掺硼金刚石薄膜的球状生长.

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