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就目前而言,碳化硅抛光方法依旧存在损伤大、效率低、有污染等问题,因此研发一种高精高效单晶碳化硅表面抛光技术极为重要。文章提出光催化辅助化学机械抛光与机械研磨组合的工艺技术,获得表面粗糙度约为0.47nm,基本能够满足超光滑、低损伤且高效的抛光要求。
碳化硅单晶衬底超精密抛光关键技术研究
【摘 要】
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就目前而言,碳化硅抛光方法依旧存在损伤大、效率低、有污染等问题,因此研发一种高精高效单晶碳化硅表面抛光技术极为重要。文章提出光催化辅助化学机械抛光与机械研磨组合的
【机 构】
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无锡华润上华科技有限公司
【出 处】
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数字通信世界
【发表日期】
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2021年3期
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