【摘 要】
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美国贝尔实验室采用Fe离子注入后接着进行液相外延生长的混合工艺方法,实现了沟道衬底隐埋异质结构InGaAsP/InP激光器。通过把Fe注入到n-InP衬底中然后进行退火形成高阻区。
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美国贝尔实验室采用Fe离子注入后接着进行液相外延生长的混合工艺方法,实现了沟道衬底隐埋异质结构InGaAsP/InP激光器。通过把Fe注入到n-InP衬底中然后进行退火形成高阻区。这个高阻区用来提供一个自对准的电流限制势垒层,在液相外延之前进行原位退火以
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