光激发半导体的光谱学研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhongdezhufangchuxu
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在高强度光激发的Ge、GaAs和ZnSe中观察到电子-空穴等离子体.采用远红外磁光吸收和光致发光两种手段研究了等离子体的空间膨胀.将Ge的远红外磁光吸收谱中的一个低磁场峰指认为快速扩展的电子-空穴-等离子体中的空穴在价带间的跃迁,用磁场限制扩散模式解释了时间和空间分辨测量结果.半绝缘GaAs中电子-空穴-等离子体的膨胀与扩散常数有关,而扩散常数取决于激发强度,这就提示了膨胀是由于“声子风”(phonon wind)而引起的.在用MOVPE方法生长的ZnSe外延层中也观察到均匀的等离子体.用非-k选择定则能
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